概述
YMB1805 系列主要包含二个部分：
PMB180 锂电充 MCU
4 个功率 MOS 组成 H 桥驱动模块
其中，PMB180 是一款内置 1.25KW OTP 数据存储器以及 64 字节数据存储器，一个硬件比较器，可用于比
较两个引脚之间的信号或内部参考电压 Vinternal-R 或内部带隙参考电压 Bandgap。PMB180 还提供三个硬件定时
器：一个 16 位定时器、一个 8 位定时器（可以 PWM 模式输出），和一组 3 连套 11 位 PWM 定时器/生成器（LPWMG0、
LPWMG1 和 LPWMG2），支持 Mini-C / ASM 语言，编程简单易上手。PMB 180 使用细节请查阅应广官网“PMB180
规格书”。
YMB1805 程序主要存储空间如下：
OTP ROM (Word): 1.25KW
SRAM (Byte): 64
应用
智能硬件
手机支架
智能门锁
手持小风扇
需电机正反转相关应用
封装及引脚说明
YMB1805-ES08A (ESOP8A-150mil)
注：PA1 TO INA ，PA5 TO INB（封装未出 Pin）
| 脚位名称 | 输入/输出 | 特殊功能 | |||||||
| l/O | 上拉 | 唤醒 | 开漏输出 | 比较器 | PWM | 锂电充 | H桥 | 烧录 | |
| VBAT | √ | √ | |||||||
| PA6 | √ | √ | √ | CIN4- | LPG1 | √ | |||
| VM | √ | ||||||||
| OUTB | √ | ||||||||
| OUTA | √ | ||||||||
| PA4 | √ | √ | √ | CIN+ CIN- |
TM2 LPG1 |
√ | |||
| GND1 | √ | ||||||||
| VCC5 | √ | ||||||||
| GND2 | √ | √ | √ | ||||||
| INA/PA1 | √ | √ | √ | LPG0 | √ | ||||
| INB/PA5 | √ | √ | √ | LPG2 | √ | ||||
H 桥控制逻辑输入：INA/PA1 及 INB / PA5 （封装未出 Pin）
H 桥电源：VM 及 GND2（连接 10uF 或更大电容在 VM 和地之间）
H 桥输出：OUTA / OUTB
H 桥驱动模块描述描述
YMB1805 是为消费类产品，为智能硬件和电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。
YMB1805 的 H 桥驱动模块能够驱动一个直流有刷电机，可实现电机正转/反转/停止/刹车四个功能。
YMB1805 的 H 桥驱动模块支持最高工作电压为 7.5V，持续电流 1.0A，峰值电流 2.0A。同时，集成了过温保
护和欠压闭锁等保护功能。
YMB1805 的 H 桥驱动模块具有两个 PWM（INA/INB）输入接口，INA 与 PA1 连接，INB 与 PA5 连接。
H桥驱动模块描述特性
工作电压范围 2.0 - 7.5V
持续电流1.0A，峰值2.0A
低导通电阻: 450mΩ (HS+LS)@4.2V
低待机电流
低静态工作电流
具过温保护
具欠压保护
H 桥驱动模块功能框图及其应用说明
应用说明
基本工作模式
a) 待机状态
在待机状态下，INA=INB=L。包括驱动功率管在内的所有内部电路都处于关断状态。电路消耗极低的电流。此时马
达输出端 OUTA 和 OUTB 都为高阻状态。
b) 正转模式
正转模式的定义为：INA=H，INB=L，此时马达驱动端 OUTA 输出高电平，马达驱动端 OUTB 输出低电平时，马
达驱动电流从 OUTA 流入马达，从 OUTB 流到地端，此时马达的转动定义为正转模式。
c) 反转模式
反转模式的定义为：INA=L，INB=H，此时马达驱动端 OUTB 输出高电平，马达驱动端 OUTA 输出低电平时，马
达驱动电流从 OUTB 流入马达，从 OUTA 流到地端，此时马达的转动定义为反转模式。
d) 刹车模式
刹车模式的定义为：INA=H，INB=H，此时马达驱动端 OUTA 以及 OUTB 都输出低电平，马达内存储的能量将通
过 OUTA 端 NMOS 管或者 OUTB 端 NMOS 快速释放，马达在短时间内就会停止转动。注意在刹车模式下电路
将消耗静态功耗。
应用参考电路,简单应用接线示意图
注：C0 的电容值根据应用要求进行调整
应用参考电路
芯片使用注意事项
(1) 推荐电路及参数仅适用于普通直流电机驱动，使用时请根据实际情况来使用。
(2) H桥驱动模块持续电流驱动能力受封装形式、VM、芯片差异及环境温度、PCB材料及厚度等因素影响，规格书
给出。
(3) 参数仅供参考。在实际使用中请根据产品考虑一定的余量。
(4) H桥驱动模块功率电源端附近的去耦电容必须就近连接，必须添加，否则容易造成电路击穿；功率电源对地去
耦电容。
(5) 容值可根据电机适当调整，图中给出的电容值为参考值。
(6) OUTA与OUTB端连接的104电容为旁路电容，该电容可有效改善因电机快速正、反转切换而引起的电压尖峰击
穿输出。
(7) 端口问题。
(8) YMB1805采用MOS工艺设计制造，对静电敏感，要求在包装、运输、加工生产等全过程中需注意做好防静电
措施。
(9) 马达启动瞬间的电流值建议不要超过2.0A。
(10) E-PAD产品PCB布局指南可参考应广官网的APN019应用手册。
http://www.padauk.com.tw/cn/technical/index.aspx?kind=9
(11) 使用产品有任何问题可咨询应广FAE。
烧录方法
YMB1805 的烧录脚为 PA4，PA6，VBAT 和 GND 这 4 个引脚。
请使用 5S-P-003 或以后的版本进行烧录。3S-P-002 或之前的烧录器皆不支持烧录该芯片。
烧录档加入封装信息及 OS 设置：
方法一：在原程序代码中加入封装设定的命令：
.writer package 8, 1, 0, 0, 6, 0, 2, 0, 7, 0x000F, 0x0006, 0, 0x04 // for P003B
.writer package 8, 0, 0, 0, 6, 1, 2, 0, 7, 0x000F, 0x0006, 0, 0x014 // for P003 PA5 和 VDD 交换
方法二：使用 Writer 软件中的 Convert 选单加入封装信息并另存新档名：
用户在烧录器软件 Load File 页面下载将要录的 PDK 档案之后，可按照如下步骤进入封装信息设定页面
(Package Setting): Convert 一>To Package 一>选择烧录 PDK 档一>Package Setting，如下图所示。
1. IC 选用 User Define，此后 JP 信息会自动跳转到 JP7。
2. PIN 脚数量为 8，依烧录情况而定。
3. 在右侧加入 YMB1805-ES08 对应的录脚编号及位置。
4. 用户需要设置 Open/Short 只对烧录脚做测试：勾选 Only Program PIN。
注：请用户一定选择此项设置，否则将可能会影响烧录的正常进行。
5. 选择 OK 后存档。
最后，IC 在烧录器正面顶格放置，芯片 PIN1 在 textool 上左上第一脚，看到录器显示 IC ready 即可烧录。
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