概述
YMB1801 系列主要包含两个部分：
PMB180 MCU
NMOS
其中，PMB180 是一款内置 1.25KW OTP 数据存储器以及 64 字节数据存储器，一个硬件比较器，可用于比
较两个引脚之间的信号或内部参考电压 Vinternal-R 或内部带隙参考电压 Bandgap。PMB180 还提供三个硬件定时
器：一个 16 位定时器、一个 8 位定时器（可以 PWM 模式输出），和一组 3 连套 11 位 PWM 定时器/生成器（LPWMG0、
LPWMG1 和 LPWMG2），支持 Mini-C / ASM 语言，编程简单易上手。PMB 180 使用细节请查阅应广官网“PMB180
规格书”。
YMB1801 主要存储空间如下：
OTP ROM（Word）：1.25KW
SRAM（Byte）：64
应用
玩具
小家电
LED 灯饰品
一般电子产品
封装及引脚说明
电器件电气特性
| MOSFET关键电气特性参数如下(TJ=25C): | |||||
| 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
| V(ERDSS | 漏源击穿电压 | 20V | Ves=0V,Io=250uA | ||
| lo | 漏极电流 | 1A | Continuous (1) | ||
| 1.5A | Non-Continuous(1) | ||||
| Ros(m)(CP) | 漏源导通电阻 | 41mQ | 54mQ | Ves =4.5V, Io =1A (2) | |
| 54mQ | 75mQ | Ves =2.5V, Io =1A(2) | |||
| Ros(on)(FT) | 漏源导通电阻 | 58.5 mQ | 85 mΩ | Vas =2.5V,ID =2A(2) | |
| VGs(h) | 栅极开启电压 | 0.5V | 0.75V | 1.0V | Vos=Ves, lo=250uA |
| loss | 漏源饱和漏电流 | 1uA | Vos =20V,Ves =0V | ||
| lGss | 栅源漏电流 | ±100nA | Vos = 0V,Vcs =±12V | ||
| Tj, TsTs | 工作和储存温度 | 55°℃ to 150°C Max | |||
| 注释： | |||||
| (1) 以上参数特性将受封装贴片及 PCBA 散热所影响，芯片的散热效果将影响产品的性能及寿命。 (2) 以上参数特性将受封装、贴片、 PCBA 散热所影响。实际性能可能会在组装时下降。 |
|||||
典型应用
YMB1801 系列的典型应用线路图如下，这里仅供使用者参考。
在充电过程中负载(电机 / LED 灯)停转线路图：
注意事項
YMB1801 使用注意事项：
1. YMB1801-ES08A 的第 9 脚位于封装底部。且为 NMOS 的漏极，具有承载大电流及散热功能，在 PCB 布局
时需特别注意走线及散热效果。YMB1801 焊接时需特别注意第 9 脚的连接及导通，不可虚焊或是浮接。
2. E-PAD 产品 PCB 布局指南可参考应广官网的 APN019 应用手册。
http://www.padauk.com.tw/cn/technical/index.aspx?kind=9
3. 在应用线路中对锂电池同时做大电流的放电 / 充电，有可能导致锂电池的电压产生比较严重的纹波扰动。这
可能使得 YMB1801 充电模块会误动作，且充电状态旗号有可能不稳定。YMB1801 对锂电池充电时建议软件
关闭 NMOS, 如典型应用线路图一。
4. 当产品因产品功能需求必须要在对锂电池充电时也能开启负载时，则需要在应用线路上增加控制组件及回路，
如典型应用线路图二。
5. MCU 的 PA3 与 NMOS 的 GATE 共脚，使用时需在外部连接一个下拉电阻，用以避免在 MCU 在上电复位
的过程中，NMOS 误动作。
6. 使用产品有任何问题可咨询应广 FAE。
烧录方法
YMB1801 的烧录脚为 PA4，PA6，VBAT 和 GND 这 4 个引脚。
请使用 5S-P-003 或以后的版本进行烧录。3S-P-002 或之前的烧录器皆不支持烧录该芯片。
烧录档加入封装信息及 OS 设置：
方法一：在原程序代码中加入封装设定的命令：
.writer package 8, 2, 0, 0, 7, 0, 3, 0, 6, 0x0006, 0x0006, 0, 0x04 //P003B
.writer package 8, 0, 0, 0, 7, 2, 3, 0, 6, 0x0006, 0x0006, 0, 0x14 //P003 PA5 和 VDD 交换
方法二：使用 Writer 软件中的 Convert 选单加入封装信息并另存新档名：
用户在烧录器软件 Load File 页面下载将要录的 PDK 档案之后，可按照如下步骤进入封装信息设定页面
(Package Setting): Convert 一>To Package 一>选择烧录 PDK 档一>Package Setting，如下图所示。
1. IC 选用 User Define，此后 JP 信息会自动跳转到 JP7。
2. PIN 脚数量为 8，依烧录情况而定。
3. 在右侧加入 YMB1801-ES08A 对应的录脚编号及位置。
4. 用户需要设置 Open/Short 只对烧录脚做测试：勾选 Only Program PIN。
注：请用户一定选择此项设置，否则将可能会影响烧录的正常进行。
5. 选择 OK 后存档。
最后，IC 在烧录器正面顶格放置，芯片 PIN1 在 textool 上左上第一脚，看到录器显示 IC ready 即可烧录。
5S-P-003B 烧录 YMB1801 方法
使用 5S-P-003B 烧录 YMB1801，使用 Jumper7 转接程序信号。信号的连接取决于 IC 封装。请参阅 Writer
用户手册的第 5 章，为目标 IC 封装制作 Jumper7 转接板。用户可以从以下网页链接获取用户手册：
http://www.padauk.com.tw/cn/technical/index.aspx?kind=27
1、用户可在 IDE 原代码的程序中加入下列封装引脚的配置设定。
.writer package 8, 2, 0, 0, 7, 0, 3, 0, 6, 0x0006, 0x0006, 0, 0x04 //P003B
2、用户亦可从 GUI 加载 PDK 设定封装引脚配置，再插入 JP7 的飞线板，然后在插座上插入 IC，无需移位。
LCDM 显示 IC ready 后，可以烧录。
YMB1801-ES08A 在 P003B 转档配置
封装资讯
8.1. ESOP8A (Pitch=1.27 mm=0.05 inch, Body Width=3.9 mm=150 mil)
